손실 탄젠트란?

이상적인 유전체의 손실 탄젠트(탄젠트 δ)는 전기 전도, 유전체 이완, 유전체 공명, 비선형 프로세스 등 다양한 물리적 현상에 의해 발생하는 전기 에너지 소모를 정량적으로 측정한 값입니다[4].

손실 탄젠트(tanδ)는 전자기 이론에서 손실이 물질 내 전자기장에 미치는 영향을 정량화하기 위해 사용되는 용어입니다. 손실 탄젠트는 손실이 없는 물질(σ≡0)의 경우 0이며 손실이 증가함에 따라 증가한다는 점에 유의해야 합니다. 이는 손실이 재료 내 전자기장에 미치는 영향을 측정할 수 있는 대안적인 방법을 제공합니다.

손실 탄젠트(손실 계수라고도 함)는 유효 손실 전류와 무효 충전 전류 사이의 수치 비율을 결정하여 계산할 수 있습니다. 또한 유효 전력과 무효 전력 사이의 비율로 표현할 수도 있습니다.

탄젠트 손실은 탄젠트 δ라고도 하며 유전율의 허수 부분과 실수 부분 사이의 비율을 계산하여 결정됩니다. 흔히 탄젠트 델타, 탄젠트 손실 또는 소산 계수라고도 합니다.

유전체 손실은 손실 탄젠트 또는 탄젠트 델타(tan δ)라는 매개변수를 사용하여 결정됩니다. 간단히 말해서, 탄젠트 델타는 교류장 벡터와 재료의 손실 성분 사이에 형성된 각도의 접선을 나타냅니다. 따라서 탄 δ의 값이 클수록 유전체 손실이 더 크다는 것을 나타냅니다.